#1 |
数量:47050 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:24038 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:24038 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
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文档 |
Copper Lead Frame 12/Oct/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 350V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 5mA, 50mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 20 @ 50mA, 10V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | 200MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Bulk |
包装 | 3TO-92 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 350 V |
集电极最大直流电流 | 0.5 A |
最小直流电流增益 | 20@1mA@10V|30@10mA@10V|30@30mA@10V|20@50mA@10V|15@100mA@10V |
最大工作频率 | 200 MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@1mA@10mA|0.35@2mA@20mA|0.5@3mA@30mA|1@5mA@50mA V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 625 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Bulk |
集电极最大直流电流 | 0.5 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 625 |
最大基地发射极电压 | 6 |
Maximum Transition Frequency | 200 |
封装 | Bulk |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 350 |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大集电极发射极电压 | 350 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 500mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 200MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 5mA, 50mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 350V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 625mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 20 @ 50mA, 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
零件号别名 | 2N6517BU_NL |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
直流集电极/增益hfe最小值 | 30 |
直流电流增益hFE最大值 | 200 |
单位重量 | 0.006314 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 350 V |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.5 A |
增益带宽产品fT | 200 MHz |
系列 | 2N6517 |
集电极 - 基极电压VCBO | 350 V |
最低工作温度 | - 55 C |
宽度 | 3.93 mm |
长度 | 4.7 mm |
身高 | 4.7 mm |
Pd - Power Dissipation | 625 mW |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
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